一 伽罗篇 八十 反接双结字符组合（五）
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“理解了上述想象，再来理解’结’字符就很简单了。
“想象在’多键晶体’与’多穴晶体’之外施加正负不同的元压，则外加元压只会存在与平衡结构中的元压方向相同或者相反两种情况。
“当外加元压与内在元压方向相反时，两种元压是串联形式，内在元压不会阻碍外加元压，因而元流可以正常通过，呈现导通状态。
“当外加元压与内在元压方向相同时，两种元压是并联形式，内在元压将会阻碍外加元压，因而元流难以通过，呈现截止状态。
“而当外加元压超过内在元压时，按照基尔霍夫元流定律，元流应该也会随元压变化，不应该出现数值稳定的’反向饱和元流’，对于这个问题，我认为可以这样理解：
“既然晶体内部元流形式为键子向空穴的方向性迁移，那么外部灌入的元流在晶体内部，也可以想象成为键子流动状态——这也是一种可能存在的元流形态，并非那么难以想象。
“从这个思想出发，可以看到外部元流与内在元流方向是相同的，键子向空穴的迁移作用在此过程中一定是在加强，因而内在元压和元流也在增强，晶体接触之处的平衡结构层就会变宽，甚至会包含整个晶体结构，在这种情况下，晶体内部的元流便只能通过键子向空穴的迁移表现出来，迁移的效率则会由五键符文粒子或三键符文粒子的热掺杂率决定。
“所以，无论外加元压多大，内部的元流在新的平衡结构层中也只能稳定在某种程度，而且内在元压时刻存在，所以元流数值也应该不会太大。
“三种状态的简略图示见下…
“上述这种平衡结构，可以视为’结字符’的一种可能存在的形式，可以叫做’键穴结’。”
吴老板看到这里，早已沉默下来，方才的激动也早已不见了踪影。
有一点他不得不承认，这位琳大师的解释虽然也和粒子思想的支持者们一样，通篇都是“想象”，可是在逻辑上却是结构自洽，因果分明！
——将某些键合构物中的元流视作键子迁移的解释，据说是源自于千年之前那位英年早逝的波尔宗师，波尔宗师甚至将键子视为元压概念抽象出来的“负极”那样，拥有某种值为负数的内秉属性！
吴老板身为曾经的七星魔造大师，过往之时也曾在与粒子思想拥趸们的激烈争辩中遇到过类似解释，曾经的他对此一直都是嗤之以鼻！
两年多前，当他晋升宗师的那次魔莲改造失败之后，吴老板便完全搁置下所有魔造理论的思考，偶尔登录魔网也只是处理生意方面的事情，可是现在，当他为了自己的宝贝女儿，仔细考量这篇回复时，他却惊讶地发现，直到目前为止，自己甚至找不到任何自相矛盾的地方，找不出半点可供反驳之处！
这篇回复就像一眼不含任何杂质的井水，清澈通透，却又深不见底！
………
“’反接双结字符组合’，便是将两枚’结’字符首首相连或者尾尾相连。
“将’键穴结’的思想推广到’反接双结字符组合’上面，组合形式便成为’多键-多穴-多键’，或者’多穴-多键-多穴’这两种结构形式。
“以’多键-多穴-多键’结构为例，想象’多穴晶体’的厚度比’多键晶体’薄上很多，而且’多穴晶体’的热掺杂率远远小于’多键晶体’。
“为了表述方便，可以把该结构竖直起来，按照元流传输方向，从上到下将三段晶体分别称为’集键区’、’基区’、’发射区’。
“’集键区’与’基区’之间是第一个’键穴结’，可称为’上方结’；’基区’与’发射区’之间是第二个’键穴结’，可称为’下方结’。
“在’基区’与’发射区’之间外接正向元压Va，构成第一个回路，其中元流记为Ia；在’集键区’与’发射区’之间外接正向元压Vb，构成第二个回路，其中元流记为Ib，该回路总元压为Vc，并且串联一个’阻’字符，起到分压作用；再将这两个回路于’发射区’后端媾合，共地相连，则’发射区’后端的元流为Ia与Ib的和。
“这种使用形式在’反接双结字符组合’中极为常见，可以叫做’共发射区回路模式’，图示如下…
“’反接双结字符组合’的典型应用，便是输入元流对于输出元流的放大作用，在上述回路模式中，便是元流Ia对于元流Ib的放大作用，我们可以简要分析一下：
“调整回路，使得元压Vc大于元压Vb大于元压Va，且元压Vb与元压Vc的差值大于’上方结’的反向偏置元压，则’上方结’呈反向导通状态，’下方结’呈正向导通状态。
“前面说过，’基区’很薄且热掺杂率很小，则’下方结’中形成键子多而空穴少的局面，大量键子在外加元压的作用下进入’基区’，只有很小一部分填补进空穴；
“而’上方结’由于是反向导通状态，与’下方结’的元流方向相同，所以两个’键穴结’中的键子迁移方向也相同，在适当元压的作用下，’下方结’中的大量多余键子便会穿过’基区’，进入到’上方结’中。
“如前所述，这种键子迁移作用是晶体内部元流的一种可能形式，而且键子迁移作用越高，内部元流也就越大。
“从’下方结’到’上方结’的键子迁移形成的元流，与’上方结’中本身存在的反向饱和元流加在一起，便是’共发射区’回路模式中，第二个回路的输出元流。
“在这种情况下，由于’下方结’中的大量键子进入到第二个回路当中，第一个回路中的键子迁移作用便明显很少，根据回路中元压值的设置，以及上述’键穴结’的思想，可以近似认为，第一个回路中的元流只由少量键子与少量空穴结合产生，而且’下方结’中的少量键子填入’基区’空穴后，又在外加元压Va的作用下，源源不断流出’下方结’，’下方结’的空穴便也源源不断出现，从而持续驱动整个回路，使得总体的键子迁移作用持续下去。
“’上方结’中的反向饱和元流极小，在计算中可以忽略，则元流Ib可近似为从’下方结’到’上方结’的大量键子迁移，而元流Ia是’下方结’中的少量键子迁移，元流Ia与Ib之间近似拥有一种比例关系，即Ib=α*Ia，这个α，便是’反接双结字符组合’中的’元流放大系数’。”
“当然，不同形式的’反接双结字符组合’在实际使用中，拥有不同的’元流放大系数’，归根结底却只是’结’字符绘制形式的不同，在’键穴结’思想中，’元流放大系数’也受到三段晶体的厚度与热掺杂率的影响，从而出现不同的数值。
“上述部分是’反接双结字符组合’的基础，可以看到，其输入元压是直流形式、内部元流也固定不变，可以称为’反接双结字符组合’的’静态工作点’。
“在魔法阵学中，输入的元力都是波动的，具有一定频率的带宽，在数论思想上，可以将其分解为线性叠加的两部分——即具有一定幅度的直流成分，以及与坐标横轴上下对称的交流成分。
“根据法神大人的’元力频率理论’，元力中的直流成分代表着元力强弱，而交流成分才是区分元力的重心，你应该知道，’容’字符具有隔绝直流成分、无损传输交流成分的特性，所以在实际阵法之中，一般会在输入元流与’反接双结字符组合’之间，串联一个适当大小的’容字符’。
“当输入元流的交流成分进入’反接双结字符组合’之后，会首先与回路中的固有元流——Ia叠加，当Ia大小超过交流成分峰值时，回路中的元流虽然具有波动性，却始终为正值，满足元流放大作用的先决条件。
“根据’信号与系统学’的线性叠加原理，’反接双结字符组合’也可视为Ia与交流成分的两个放大回路的线性叠加，输出的元流也是同理，简要回路如下所示…
“输入元流虽然被’容’字符削减了强度，在阵法中造成了一定的元力折损，却在后续的’反接双结字符组合’回路中被弥补回来，从这个意义上说，输出元流中的元力强度，其源头实际上是’反接双结字符组合’回路中的直流元压，这种作用或许也与’键穴结’思想一样，是元力传输的另外一种形式。
“理解了这些思想，’共基区回路模式’、’共集键区回路模式’、多个放大回路的级联，以及扩容、控制、取代其它符文等等的诸般作用，也应该不难明白，我就不再赘述了。
“如上，便是我所理解的’反接双结字符组合’。
“晚安！”
………
天色渐渐亮了，微微晨曦就像一把把匕首，刺在吴老板心上！
两年多前，在完成了某件事情之后，卸下心中十数年重担的他终于决定冲击宗师位阶。
那次魔莲改造原本非常顺利，他却在最后关头困在一种叫做“光雷效应”的迷惑上，最终晋级失败！
如果…当时的他不去纠结“元力频率理论”与“光雷效应”之间的矛盾，而是参照这篇回复的思想，有所转圜的话，或许他们一家三口的人生便会大不一样…
他偷偷望向窗外，女儿房间的灯还在亮着。
他知道，自己的女儿其实极为聪明，女儿对魔造学的兴趣，也是从他这位曾经的七星魔造大师身上耳濡目染而来，并非像他说的那般一无是处！
琳大师的回复，她应该也能看懂的吧…
那张帖子此时已有许多初级魔造师浏览过，无人再有回复，然而热度却在迅速上升，悄然之间，已是冲到了榜首位置！
久久不见落下！
吴老板心里明白，在可以预见的很长一段时间里，这张帖子都会占据这个位置。
在这个夜晚，他和他的宝贝女儿，还有许许多多的初级魔造师们，似乎一同经历了一次春风化雨般的洗礼，见证了某种破土而出的洋溢之物！
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“想象在’多键晶体’与’多穴晶体’之外施加正负不同的元压，则外加元压只会存在与平衡结构中的元压方向相同或者相反两种情况。
“当外加元压与内在元压方向相反时，两种元压是串联形式，内在元压不会阻碍外加元压，因而元流可以正常通过，呈现导通状态。
“当外加元压与内在元压方向相同时，两种元压是并联形式，内在元压将会阻碍外加元压，因而元流难以通过，呈现截止状态。
“而当外加元压超过内在元压时，按照基尔霍夫元流定律，元流应该也会随元压变化，不应该出现数值稳定的’反向饱和元流’，对于这个问题，我认为可以这样理解：
“既然晶体内部元流形式为键子向空穴的方向性迁移，那么外部灌入的元流在晶体内部，也可以想象成为键子流动状态——这也是一种可能存在的元流形态，并非那么难以想象。
“从这个思想出发，可以看到外部元流与内在元流方向是相同的，键子向空穴的迁移作用在此过程中一定是在加强，因而内在元压和元流也在增强，晶体接触之处的平衡结构层就会变宽，甚至会包含整个晶体结构，在这种情况下，晶体内部的元流便只能通过键子向空穴的迁移表现出来，迁移的效率则会由五键符文粒子或三键符文粒子的热掺杂率决定。
“所以，无论外加元压多大，内部的元流在新的平衡结构层中也只能稳定在某种程度，而且内在元压时刻存在，所以元流数值也应该不会太大。
“三种状态的简略图示见下…
“上述这种平衡结构，可以视为’结字符’的一种可能存在的形式，可以叫做’键穴结’。”
吴老板看到这里，早已沉默下来，方才的激动也早已不见了踪影。
有一点他不得不承认，这位琳大师的解释虽然也和粒子思想的支持者们一样，通篇都是“想象”，可是在逻辑上却是结构自洽，因果分明！
——将某些键合构物中的元流视作键子迁移的解释，据说是源自于千年之前那位英年早逝的波尔宗师，波尔宗师甚至将键子视为元压概念抽象出来的“负极”那样，拥有某种值为负数的内秉属性！
吴老板身为曾经的七星魔造大师，过往之时也曾在与粒子思想拥趸们的激烈争辩中遇到过类似解释，曾经的他对此一直都是嗤之以鼻！
两年多前，当他晋升宗师的那次魔莲改造失败之后，吴老板便完全搁置下所有魔造理论的思考，偶尔登录魔网也只是处理生意方面的事情，可是现在，当他为了自己的宝贝女儿，仔细考量这篇回复时，他却惊讶地发现，直到目前为止，自己甚至找不到任何自相矛盾的地方，找不出半点可供反驳之处！
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“’反接双结字符组合’，便是将两枚’结’字符首首相连或者尾尾相连。
“将’键穴结’的思想推广到’反接双结字符组合’上面，组合形式便成为’多键-多穴-多键’，或者’多穴-多键-多穴’这两种结构形式。
“以’多键-多穴-多键’结构为例，想象’多穴晶体’的厚度比’多键晶体’薄上很多，而且’多穴晶体’的热掺杂率远远小于’多键晶体’。
“为了表述方便，可以把该结构竖直起来，按照元流传输方向，从上到下将三段晶体分别称为’集键区’、’基区’、’发射区’。
“’集键区’与’基区’之间是第一个’键穴结’，可称为’上方结’；’基区’与’发射区’之间是第二个’键穴结’，可称为’下方结’。
“在’基区’与’发射区’之间外接正向元压Va，构成第一个回路，其中元流记为Ia；在’集键区’与’发射区’之间外接正向元压Vb，构成第二个回路，其中元流记为Ib，该回路总元压为Vc，并且串联一个’阻’字符，起到分压作用；再将这两个回路于’发射区’后端媾合，共地相连，则’发射区’后端的元流为Ia与Ib的和。
“这种使用形式在’反接双结字符组合’中极为常见，可以叫做’共发射区回路模式’，图示如下…
“’反接双结字符组合’的典型应用，便是输入元流对于输出元流的放大作用，在上述回路模式中，便是元流Ia对于元流Ib的放大作用，我们可以简要分析一下：
“调整回路，使得元压Vc大于元压Vb大于元压Va，且元压Vb与元压Vc的差值大于’上方结’的反向偏置元压，则’上方结’呈反向导通状态，’下方结’呈正向导通状态。
“前面说过，’基区’很薄且热掺杂率很小，则’下方结’中形成键子多而空穴少的局面，大量键子在外加元压的作用下进入’基区’，只有很小一部分填补进空穴；
“而’上方结’由于是反向导通状态，与’下方结’的元流方向相同，所以两个’键穴结’中的键子迁移方向也相同，在适当元压的作用下，’下方结’中的大量多余键子便会穿过’基区’，进入到’上方结’中。
“如前所述，这种键子迁移作用是晶体内部元流的一种可能形式，而且键子迁移作用越高，内部元流也就越大。
“从’下方结’到’上方结’的键子迁移形成的元流，与’上方结’中本身存在的反向饱和元流加在一起，便是’共发射区’回路模式中，第二个回路的输出元流。
“在这种情况下，由于’下方结’中的大量键子进入到第二个回路当中，第一个回路中的键子迁移作用便明显很少，根据回路中元压值的设置，以及上述’键穴结’的思想，可以近似认为，第一个回路中的元流只由少量键子与少量空穴结合产生，而且’下方结’中的少量键子填入’基区’空穴后，又在外加元压Va的作用下，源源不断流出’下方结’，’下方结’的空穴便也源源不断出现，从而持续驱动整个回路，使得总体的键子迁移作用持续下去。
“’上方结’中的反向饱和元流极小，在计算中可以忽略，则元流Ib可近似为从’下方结’到’上方结’的大量键子迁移，而元流Ia是’下方结’中的少量键子迁移，元流Ia与Ib之间近似拥有一种比例关系，即Ib=α*Ia，这个α，便是’反接双结字符组合’中的’元流放大系数’。”
“当然，不同形式的’反接双结字符组合’在实际使用中，拥有不同的’元流放大系数’，归根结底却只是’结’字符绘制形式的不同，在’键穴结’思想中，’元流放大系数’也受到三段晶体的厚度与热掺杂率的影响，从而出现不同的数值。
“上述部分是’反接双结字符组合’的基础，可以看到，其输入元压是直流形式、内部元流也固定不变，可以称为’反接双结字符组合’的’静态工作点’。
“在魔法阵学中，输入的元力都是波动的，具有一定频率的带宽，在数论思想上，可以将其分解为线性叠加的两部分——即具有一定幅度的直流成分，以及与坐标横轴上下对称的交流成分。
“根据法神大人的’元力频率理论’，元力中的直流成分代表着元力强弱，而交流成分才是区分元力的重心，你应该知道，’容’字符具有隔绝直流成分、无损传输交流成分的特性，所以在实际阵法之中，一般会在输入元流与’反接双结字符组合’之间，串联一个适当大小的’容字符’。
“当输入元流的交流成分进入’反接双结字符组合’之后，会首先与回路中的固有元流——Ia叠加，当Ia大小超过交流成分峰值时，回路中的元流虽然具有波动性，却始终为正值，满足元流放大作用的先决条件。
“根据’信号与系统学’的线性叠加原理，’反接双结字符组合’也可视为Ia与交流成分的两个放大回路的线性叠加，输出的元流也是同理，简要回路如下所示…
“输入元流虽然被’容’字符削减了强度，在阵法中造成了一定的元力折损，却在后续的’反接双结字符组合’回路中被弥补回来，从这个意义上说，输出元流中的元力强度，其源头实际上是’反接双结字符组合’回路中的直流元压，这种作用或许也与’键穴结’思想一样，是元力传输的另外一种形式。
“理解了这些思想，’共基区回路模式’、’共集键区回路模式’、多个放大回路的级联，以及扩容、控制、取代其它符文等等的诸般作用，也应该不难明白，我就不再赘述了。
“如上，便是我所理解的’反接双结字符组合’。
“晚安！”
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